top of page

نبائط و دوائر الميكروالكترونيات

نبذة عن المقرر:

مقدمة لخواص أشباه الموصلات النقية والمشوبة. ثنائي الوصلة: التركيب الأساسي، منحنى   التيار مع الجهد، تطبيقات الوصلة الثنائية، الوصلات الخاصة: دايود زنر – دايود   باعث االضاءة - الخاليا الشمسية.. ترانزيستور تأثير المجال: تركيب وعمل   ترانزيستور معدن- أكسيد-شبه موصل MOSFET من نوع التعزيز والنضوب، منحنى التيار مع الجهد، الإنحياز. الترانزيستور الثنائي: التركيب الأساسي، نطاقات العمل، الإنحياز، النمذجة في حالة الإشارات الصغيرة والكبيرة، المكبر ذو المرحلة الواحدة. الثيرستور: التركيب الأساسي، منحنى التيار مع الجهد.

كهر 201
المتطلبات السابقة:
السادس
المستوى:
مواضيع المقرر:
  1. Introduction to semiconductors

  2. P-N Junctions Diodes

  3. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect   Transistors (MOSFETs)

  4. Bipolar Junction Transistor (BJTs)

  5. Four Layers (three junction) Devices: Thyristor

فيديو مع عضو هيئة التدريس:
bottom of page